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中科院研发低维半导体技术:纳米画笔“画出”各种芯片“华体会体育”

  • 产品时间:2022-03-21 02:01
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简要描述:中科院2020-03-30 宣告,国内学者研发出有了一种非常简单的制取较低维半导体器件的方法——用“纳米画笔”勾勒未来光电子器件,它可以“所画出有”各种必须的芯片。随着技术的发展,人们对半导体技术的拒绝更加低,但是半导体生产可玩性毕竟更加大,10nm以下的工艺极为烧钱,这就必须其他技术。中科院回应,可预期的未来,必须在更加小的面积构建更好的电子元件。针对这种市场需求,厚度仅有0.3至几纳米(头发丝直径几万分之一)的低维材料应运而生。...

详细介绍
本文摘要:中科院2020-03-30 宣告,国内学者研发出有了一种非常简单的制取较低维半导体器件的方法——用“纳米画笔”勾勒未来光电子器件,它可以“所画出有”各种必须的芯片。随着技术的发展,人们对半导体技术的拒绝更加低,但是半导体生产可玩性毕竟更加大,10nm以下的工艺极为烧钱,这就必须其他技术。中科院回应,可预期的未来,必须在更加小的面积构建更好的电子元件。针对这种市场需求,厚度仅有0.3至几纳米(头发丝直径几万分之一)的低维材料应运而生。

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中科院2020-03-30 宣告,国内学者研发出有了一种非常简单的制取较低维半导体器件的方法——用“纳米画笔”勾勒未来光电子器件,它可以“所画出有”各种必须的芯片。随着技术的发展,人们对半导体技术的拒绝更加低,但是半导体生产可玩性毕竟更加大,10nm以下的工艺极为烧钱,这就必须其他技术。中科院回应,可预期的未来,必须在更加小的面积构建更好的电子元件。针对这种市场需求,厚度仅有0.3至几纳米(头发丝直径几万分之一)的低维材料应运而生。

这类材料可以比作超薄的纸张,只是比纸厚很多,可以用作制取纳米级别厚度的电子器件。从材料到器件,现有的制取工艺必须经过十分繁复简单的工艺过程,这对较慢检验合适用作制取电子器件的低维材料十分有利。近日,中科院上海技术物理研究所科研人员研发出有了一种非常简单的制取较低维半导体器件的方法——用“纳米画笔”勾勒未来光电子器件。

由于二维材料如同薄薄的一张纸,它的性质很更容易受到环境影响。利用这一特性,研究人员在二维材料表面覆盖面积一层铁电薄膜,用于纳米探针产生电压在铁电材料表面扫瞄,通过转变对应方位铁电材料的性质来构建对二维材料性质的精准操纵。当设计好器件功能后,科研人员只需充分发挥想象,用于纳米探针“画笔”在铁电薄膜“画布”上画出有各种各样的电子器件图案,利用铁电薄膜对低维半导体材料物理性质的影响,就能做成所需的器件。

实际实验操作者中,“画笔”是原子力显微镜的纳米探针,它的起到就相等于传统晶体管的栅电极,可以用来加正电压或负电压。但不同于传统栅电极,原子力显微镜的针尖是可以给定移动的,如同一支“行驶的画笔”,在水平空间上可以准确“所画出有”纳米尺度的器件。在这个过程中,研究人员通过掌控特在针尖上电压的正负性,就能只能建构各种电子和光子器件,比如存储器、光探测器、光伏电池等等。

右图是一张用探针针尖写出出来的心形图案,体现了图形编辑的任意性。而且,一个器件在写出好之后,用针尖新的特有所不同的电压展开扫瞄,还能写新的功能器件,就像在纸上写字然后用橡皮擦整洁再行新的写出上一样,即同一个器件可以重复利用、构建有所不同功能。

就像一个机器人,创下一下控制程序,就能做到有所不同的事情。研究人员还更进一步将这种探针扫瞄技术应用于准非不易失性存储器。准非不易失性存储器是指同时符合载入数据速度较慢,留存数据的时间较长的一类存储器。发展这类存储技术很有意义,比如它可以在我们重开计算机或者突然性、车祸性重开计算机的时候缩短数据的留存时间。

此外,这种器件制取技术还可用作设计“电载入,光朗读”的存储器,我们日常用于的光盘就是典型的“光朗读”的存储媒介。由于较低维半导体载流子类型在针尖扫瞄电场起到持续性再次发生转变,这造成其发光强度也不会经常出现显著变化。因此融合扫瞄图形给定编辑的特点,科研人员就可以设计出有周期性变化的阵列。

这些阵列图形的每个区域都经过针尖去掌控它的载流子类型,进而掌控较低维材料的发光强度,然后通过一个照相机照片就能必要提供一张荧光强度照片。每一个存储单元的信息都在这张照片里“一目了然”,亮的单元可以用来代表存储态中的“0”,暗的单元可以用来回应“1”,类似于一种新型存储“光盘”。科研人员可以非常简单必要地通过拍电影荧光照片的方式同时提供每个存储单元的信息。运用该技术,若用电压朗读的方式,理论上的存储密度可以超过几个T-Byte/in2。

本研究由中国科学院上海技术物理研究所与复旦大学、华东师范大学、南京大学,中国科学院微电子研究所等多个课题组合作已完成。研究成果月底2020年1月24日,公开发表于《大自然-电子学》,文章标题“Programmabletransitionmetaldichalcogenidehomojunctionscontrolledbynonvolatileferroelectricdomains”。


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